长鑫存储被曝靠三星泄密技术绕过研发，前工程师获刑七年-长鑫存储被曝靠三星泄密技术绕过研发，前工程师获刑七年

长鑫存储被曝靠三星泄密技术绕过研发，前工程师获刑七年

2026-10-18 21:07:14

中国最大的DRAM内存芯片制造商长鑫存储（CXMT）的崛起之路，近日在韩国首尔法庭上被揭开了一段颇具争议的往事。一名前三星电子工程师在法庭宣誓作证称，这家中国公司成立之初并未打算自主研发，而是从一开始就瞄准了三星的高度机密技术文件。

据韩国《每日经济》报道，这位姓全（Jeon）的前三星工程师在三星工作了近三十年，大约在2016年跳槽至长鑫存储。上周，他现身首尔法庭，就公司早期发展情况作出证词。全某向法官表示，新雇主在创立时缺乏基本的实验室设施，也从未计划进行独立的自主研发。

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一份价值数十亿美元的“配方”

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证词显示，长鑫存储的初创管理层从一开始就希望获取三星的一份高度机密文件——半导体行业称之为“工艺配方计划”（Process Recipe Plan）。这份文件列出了大约600个具体制造步骤，详细标注了工厂车间所需的温度和设备压力等参数，工程师拿到后无需自行摸索试验。

三星为调试18纳米内存芯片的工艺参数，耗费了五年时间和超过十亿美元的资金。检方指控称，长鑫存储的做法是直接招募一批前三星员工，将这套工艺参数整体“搬走”。

这一策略显然奏效。到2023年，长鑫存储已开始大规模生产先进内存芯片。短短几年间，其月产能从4万片晶圆增长至72万片，正在逼近美国存储巨头美光（Micron）的规模。

韩国司法系统已作出回应

韩国当局并未对此坐视不理。去年年底，检方对十名涉嫌非法泄露受保护国家技术的人员提起诉讼。今年四月，法官判处全某七年有期徒刑，罪名正是其在技术泄密中扮演的角色。

这起案件的法律后果可能远超刑事判决本身。法律专家认为，法庭上的宣誓证词可能成为三星在商业战场上的有力武器——三星或将这些证词提交至美国国际贸易委员会（ITC），该机构有权直接禁止外国产品进入美国市场。

如果这一路径走通，长鑫存储的海外扩张之路将面临新的变数。目前，该公司尚未对这起案件作出公开回应。

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